Solución de adaptador de corriente & Fabricación
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Adaptador de corriente certificado Victoria (Columbia Británica) personalizado

Tiempo de Publicación:2019-06-13
Principales productos: adaptador de corriente, alimentación médica, alimentación LED, cargador, etc.

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En la tecnología de desarrollo de IGBT, el adaptador de corriente se actualiza con el producto, la tecnología de fabricación se mejora continuamente y el procesamiento fino también es posible. Ahora, el dispositivo de alimentación adopta principalmente el tamaño de procesamiento de 1 μm o menos.

1 Evolución de IGBT de la primera generación a la cuarta generación, se estima que Uce (sat) se puede reducir en un 50%, tf se puede aumentar en un 50% a 60%, la Tabla 22 enumera las características estándar de cada generación de adaptador de corriente Uce (sat) y tf.

2 Use una estructura de puerta de trinchera para reducir el tamaño de la viruta. En el proceso de desarrollo desde la tercera generación hasta la cuarta generación, el IGBT puede realizar un procesamiento fino formando una puerta desde la superficie del chip hacia el interior del chip, porque la puerta se fabrica cavando una zanja desde la superficie de el chip al interior del chip. Por lo tanto, esta estructura se denomina estructura de ranura. Dado que la cintura está ranurada, el tamaño de la unidad de celda se reduce a 1/5, la resistencia del canal del MOSFET se reduce, la densidad de corriente por unidad de área de chip aumenta y se puede fabricar la misma clasificación. Adaptador de corriente con el tamaño de chip y corriente más pequeño.

3 Use nuevos materiales para mejorar las características del producto. Una de las tendencias de desarrollo de la próxima generación es mejorar las características del adaptador de corriente mediante el uso de un nuevo material en lugar de Si. El segundo es usar el método de control de tiempo de vida para crear localmente la ventana y reducir la dependencia de Uce (sat) sin aumentar el Uce (sat). Las características de conmutación se incrementan a velocidad; el tercero es reducir la resistencia a la comunicación de la parte MO mediante un procesamiento fino. Con estos métodos, las características de conmutación pueden hacerse iguales que el MOSFET, de modo que Uce (sat) y el tiristor son iguales.

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